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SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:256KB。
E2PROM容量:256KB。
用于32点I/O。0.5平方毫米(AWG20)。扩展SRAM卡 4MB
只需插入SD存储卡,即可自动记录。
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡,即可自动开始记录Q1MEM-512SE。
即使在需要进行远程数据收集时,
通过邮件接收记录设定文件并将其到SD存储卡中后,
即可立即开始记录。程序容量:124 K步。
输入输出点数:4096点。
输入输出元件数:8192点。
处理速度:0.034μs。
程序存储器容量:496 KB。
支持USB和RS232。
CPU模块扩展标准RAM(大8MB)。
可与SD存储卡同时使用。
可连续访问文件寄存器。
高速处理,生产时间缩短,更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂,缩短系统运行周期时间是非常必要的Q1MEM-512SE。
通过高的基本运算处理速度1.9ns,可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外,
还可通过减少总扫描时间,提高系统性能,
防止任何可能出现的性能偏差。8轴。
连接SSCNETⅢ。
控制单位:脉冲。
定位数据数:32数据/轴。
简单多轴定位的理想解决方案。
具有任意位置定位控制、等速控制等定位控制系统所需的多种功能。
适合于只需简单定位控制的多轴系统。
在多轴系统中进行高速直线定位控制的理想之选。
可进行多4轴的直线插补运行。
具有电子齿轮、间隙补偿、对位置系统等基本定位功能。输入输出点数:4096点。
输入输出元件数:8192点Q1MEM-512SE。
程序容量:260 k步。
处理速度:0.0095 μs。
程序存储器容量:1004 KB。
支持USB和网络。
支持安装记忆卡。
多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间,装置化。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号,为装置的更加化作出贡献。
通过多CPU进行高速、机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信(周期为0.88ms)的并列处理,实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步,因此可实现运算效率大化。
此外,新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍,
确保了高速、的机器控制。8通道。
输入:DC4~20mA。
输出(分辨率):0~3200;0~6400。
转换速度:10ms/通道。
18点端子台。
通道之间隔离。
向二线式变送器供电。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔离型模拟量模块在实现高隔离电压的同时,
进一步提高了基准精度。
为使用通用可编程控制器进行过程控制提供支持。
流量计、压力表、其它传感器等可直接连接至模拟量输入,
控控制阀也可直接连接至模拟量输出Q1MEM-512SE。
由于不需要外部隔离放大器,硬件和安装成本得以以大幅降低Q1MEM-512SE。
高缘强度耐压 。
可隔离电气干扰,例如电流和噪音等。
标准型模拟量输入模块。
隔离型模拟量输入模块。
无需外部隔离放大器。
不使用通道间隔离型模拟量模块时。
使用了通道间隔离型模拟量模块时。
¥1500.00
产品简介:
存储卡 Q1MEM-2MS
SRAM存储卡。
RAM容量:2MB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-64S
SRAM存储卡。
RAM容量:64KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-256SE
SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:128KB。
E2PROM容量:128KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-512S
SRAM存储卡。
RAM容量:512KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-128S
SRAM存储卡。
RAM容量:128KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-128SE
SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:64KB。
E2PROM容量:64KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-1MSE
SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:512KB。
E2PROM容量:512KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-1MS
SRAM存储卡。
RAM容量:1MB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-256S
SRAM存储卡。
RAM容量:256KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-64SE
SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:32KB。
E2PROM容量:32KB。
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