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SRAM存储卡。
RAM容量:2MB。
通用型Q系列CPU用存储卡保护置。
Q3MEM-4MBS-SET/Q3MEM-8MBS-SET捆绑产品。控制轴数:大32轴。
示教运行功能:有(使用SV13时)Q1MEM-2MS。
在位置停止可实现速度控制功能。
伺服电机可以以预先设定的速度旋转,
在启动位置停止指令后,
即可在事先设定的位置停止。
在操作运行时不仅可以通过更改选项值来更改速度,
还可以更改加速/减速时间。
相位补偿功能。
虚模式及实模式的混合功能。
平滑离合器线性加速/减速功能。1轴,SSCNET连接型。
控制单位:mm、英寸、度、脉冲。
定位数据数:600个数据/轴Q1MEM-2MS。
40针连接器。
轻松实现高速、的定位控制。
支持多种类型的定位控制,
包括2 〜 4轴直线插补、2轴圆弧插补、速度控制、速度/位置切换控制、路径控制、等速控制等。
此外,可使用“ GX Configurator-QP”等软件,
方便地进行定位设置、监视和调试等。
在通过 SSCNET 电缆连接节省了配线的同时,
总电缆距离长可达 30mQ1MEM-2MS。
此外,支持通过原点返回数据设置操作来确定原点位置的对位置系统。
无需对近点挡块等进行配线。三相3线式。
测量电路数:4个电路。
测量项目:耗电量(消耗、再生)、电流、电压、功率、功率因素等。
可简单地测量多种能量信息的电能测量模块产品群存储卡。
仅用一个模块,即可测量与电量(消耗及再生)、无功电量、电流、电压、功率、功率因数以及频率有关的各种详细信息。
无需梯形图程序即可持续监视小值和大值,亦可执行2种类型的上限/下限报警。
只有在ON状态期间,才可测量输出设备所使用的电量。
因此可获得设备运行期间的电量以及节拍单位内的电量存储卡。
在一个插槽中使用3相3线式产品多可测量4个电路,
使用3相4线式产品多可测量3个电路,
因此通过多电路型产品可在较小空间中实施电能测量。
例如,可使用一个模块测量来自控制面板干线的其他负载存储卡。
此外,可使用GX Works2 ( 1.90U版和更高版本),轻松地设置参数。RS-232 2ch。
可通过QJ71C24N(-R2)的RS-232串行通信,
用编程工具进行可编程控制器的编程和监视。
QJ71C24N(-R2)具有与公共电话线路调制解调器对应的功能,
可对所使用的调制解调器进行初始化,进行与对象设备的连接处理,
通过远程设备和编程工具、调制解调器及公共电话线路进行通信。
利用远程密码功能,
可阻止经由QJ71C24N(-R2)的调制解调器功能对Q系列可编程控制器进行访问。
可对可编程控制器的数据收集/更改、监视/管理、测量数据收集等的串行通信模块。
可实现高230.4kbps的速速度、大960字( MC协议通信时)的高速大容量通信三菱。
可利用MC协议,通过外部设设备( PC、显示器等)执行可编程控制器内数据的读取/写入Q1MEM-2MS。
通过选择无顺序协议并使用顺序程序来进行通信控制,在可编程控制器和外部设备(条码读取器、测量设备等)之间,
使用外部设备的本地协议与其进行通信。
¥458.00
产品简介:
存储卡 Q1MEM-1MSE
SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:512KB。
E2PROM容量:512KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-64S
SRAM存储卡。
RAM容量:64KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-128SE
SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:64KB。
E2PROM容量:64KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-256S
SRAM存储卡。
RAM容量:256KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-512SE
SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:256KB。
E2PROM容量:256KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-512S
SRAM存储卡。
RAM容量:512KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-1MS
SRAM存储卡。
RAM容量:1MB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-128S
SRAM存储卡。
RAM容量:128KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-64SE
SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:32KB。
E2PROM容量:32KB。
产品简介:
存储卡 Q1MEM-256SE
SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:128KB。
E2PROM容量:128KB。
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