QS001CPU手册三菱QS001CPU编程手册

更换用电池。
初始电压3.0V。
更换用大容量电池模块，不带电缆。
电流容量：18000mAh。
使用寿命：5年。
外形尺寸：98*55.2*87mm。输入：2通道三菱QS001CPU编程手册。
500/200/100/10kpps。
计数器输入信号：DC5/12/24V。
外部输入：DC5/12/24V。
统一输出：晶体管(漏型)。
DC12/24V。
0.5A/点。
2A公共端。
40针连接器。输入：4通道。
铂电阻(Pt100；JPt100)。
加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4通道。
18点端子台x2。
尖峰电流功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流，有助于节能及降低运行成本。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本三菱QS001CPU编程手册。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。
可灵活进行各种设置，实现佳温度控制的温度调节模块。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）。更换用电池。
初始电压3.0V。
大容量电池带底座。
电流容量：5000mAh。
使用寿命：5年。输入输出点数：4096点。
输入输出元三菱QS001CPU编程手册。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域域QS001CPU手册。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修修饰扩展到文件寄存器的所有区域QS001CPU手册。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。