三菱Q173HB2CBL1M认证Q173HB2CBL1M EMC

输入输出点数：1024点。
输入输出数据设备点数：8192点。
程序容量：60k。
基本命令处理速度(LD命令)：0.2μS。
指令执行所需的时间和用户程序的长短、指令的种类和CPU执行速度是有很大关系，
一般来说，一个扫描的过程中，故障诊断时间，
通信时间，输入采样和输出刷新所占的时间较少，
执行的时间是占了大部分Q173HB2CBL1MEMC。
光电耦合器由两个发光二极度管和光电三极管组成。
发光二级管：在光电耦合器的输入端加上变化的电信号，
发光二极管就产生与输入信号变化规律相同的光信号。
输入接口电路工作过程：当开关合上，二极管发光，
然后三极管在光的照射下导通，向内部电路输入信号。
当开关断开，二极管不发光，三极管不导通Q173HB2CBL1MEMC。向内部电路输入信号。
也就是通过输入接口电路把外部的开关信号转化成PLC内部所能接受的数字信号。
光电三级管：在光信号的照射下导通，导通程度与光信号的强弱有关。
在光电耦合器的线性工作区内，输出信号与输入信号有线性关系。
用户程序存储容量：是衡量可存储用户应用程序多少的指标。
通常以字或K字为单位。16位二进制数为一个字，
每1024个字为1K字。PLC以字为单位存储指令和数据。
一般的逻辑操作指令每条占1个字。定时/计数，
移位指令占2个字。数据操作指令占2~4个字。手动肪冲发生器/INC同步编码器输入：
可使用台数：3台/1个模块。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程Q173HB2CBL1MEMC。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。输入：4通道。
铂电阻(Pt100；JPt100；Ni100)。
转换速度：40ms/1通道。
18点端台。
通道之间隔离。
铂热电阻（Pt100、JPt100）。
镍热电阻（Ni100）。
脱落检测功能。
转换速度：320ms/8通道。
通道间隔离。
40针连接器。
适合用于过程控制的隔离模拟量模块。
可通过连接热电偶/热电阻来收集温度数据。
产品可选择多通道（ 8通道）输入型和通道隔离型。
客户可根据预期用途选择适合的型号。
缩短系统停机复原时间。
只需简单的操作，即可将CPU内的所有数据备份到存储卡中。
通过定期备份，可始终将新的参数、程序等保存到存储卡。
在万一发生CPU故障时，在更换CPU后，可通过简单的操作，
通过事前备份了数据的存储卡进行系统复原。
因此，无需花费时间管理备份数据，也可缩短系统停机时的复原时间。
自动备份关键数据
将程序和和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失Q173HB2CBL1M认证Q173HB2CBL1M认证。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。