三菱QD75MH1 EMC

输出点数：8点。
输出电压及电流：DC5~24A/点；8A/公共端。
OFF时漏电流：0.1mA。
应答时间：10ms。
漏型、源型共用型。
18点端子台。
带浪涌吸收器QD75MH1。
所有点独立。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程QD75MH1。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，
检验程序调试的时间等，可缩短设备故障对收集的数据进行分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化QD75MH1。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示。输入输出点数：4096点。
输入输出软元件点数：8192点。
程序容量：130K步。
基本运处理速度（LD指令）：1.9ns。
程序内存容量：520KB。
外围设备连接端口：USB、以太网（通信协义支持功能）。
存储卡I/F：SD存储卡、扩展SRAM卡。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
支持USB和RS232。

支持安装记忆卡。

多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间，装置化。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号，为装置的的更加化作出贡献QD75MH1EMC。
通过多CPU进行高速、机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPPU间高速通信（周期为0.88ms）的并列处理，实现高速控制QD75MH1EMC。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步，因此可实现运算效率大化。
此外，新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍，
确保了高速、的机器控制。