资料介绍
输入输出点数:4096点。
输入输出元件数:8192点。
程序容量:26 k步。
处理速度:79ns。
程序存储器容量:144 KB。
内置RS232通信口三菱QY50认证。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取,
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡,
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器,
容量多可达4736K字,从而简化了编程。
因此,即使软元件存储器空间不足,
也可通过安装扩展SRAM卡,方便地扩展文件寄存器区域三菱QY50认证。
变址寄存器扩展到了32位,从而使编程也可越了传统的32K字,
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外,变址修饰的处理速度对结构化数据(阵列)的运算起着重要作用,
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序(例如从FOR到NEXT的指令等)中时,可缩短扫描时间。电缆长5.0米。
用于连接扩展基板。安装DIN导轨用的适配器。
用于Q35B-E、Q65B、Q00JCPU。扩展SRAM卡 2MB
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便,无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置,
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存些资料可应用于启动时的数据分析、追溯等三菱QY50认证。SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:128KB。
E2PROM容量:128KB。电缆长3.0米。
用于连接扩展基板。E81WH4W、QE83WH4W专用变压器。
可简单地测量多种能量信息的电能测量模块产品群。
仅用一个模块,即可测量与电量(消耗及再生)、无功电量、电流、电压、功率、功率因数以及频率有关的各种详细信息。
无需梯形图程序即可持续监视小值和大值,亦可执行2种类型的上限/下限报警。
只有在ON状态期间,才可测量输出设备所使用的电量。
因此可获得设备运行期间的电量以及节拍拍单位内的电量QY50EMC。
在一个插槽中使用3相3线式产品多可测量4个电路,
使用3相4线式产品品多可测量3个电路,
因此通过多电路型产品可在较小空间中实施电能测量QY50EMC。
例如,可使用一个模块测量来自控制面板干线的其他负载。
此外,可使用GX Works2 ( 1.90U版和更高版本),轻松地设置参数。