SRAM卡用电池驱动杆：线弹簧驱动杆长弹簧 三菱Q3MEM-BAT

输入：8通道。
30kpps/10kpps/1kpps/100pps/50pps/10pps/1pps/0.1pps。
计数器输入信号：DC5/12-24V。
该模块适用于速度、转速、瞬时流量等输入脉冲数的测量，
以及数量、长度、累计流量等的测量SRAM卡用电池。
输入脉冲值每隔10ms更新。
可使累计计数值和进行移动平均处理等后的脉冲数（采样脉冲数）按照计数周期设置进行更新。输入输出点数：2048点。
输入输出数据设备点数：8192点。
程序容量：92k。
基本命令处理速度(LD命令)：0.15μS。
指令执行所需的时间和用户程序的长短、指令的种类和CPU执行速度是有很大关系，
一般来说，一个扫描的过程中，故障诊断时间，
通信时间，输入采样和输出刷新所占的时间较少，
执行的时间是占了大部分SRAM卡用电池。
光电耦合器由两个发光二极度管和光电三极管组成。
发光二级管：在光电耦合器的输入端加上变化的电信号，
发光二极管就产生与输入信号变化规律相同的光信号SRAM卡用电池。
输入接口电路工作过程：当开关合上，二极管发光，
然后三极管在光的照射下导通，向内部电路输入信号。
当开关断开，二极管不发光，三极管不导通。向内部电路输入信号。
也就是通过输入接口电路把外部的开关信号转化成PLC内部所能接受的数字信号。
光电三级管：在光信号的照射下导通，导通程度与光信号的强弱有关Q3MEM-BAT。
在光电耦合器的线性工作区内，输出信号与输入信号有线性关系。
用户程序存储容量：是衡量可存储用户应用程序多少的指标。
通常以字或K字为单位。16位二进制数为一个字，
每1024个字为1K字。PLC以字为单位存储指令和数据。
一般的逻辑操作指令每条占1个字Q3MEM-BAT。定时/计数，
移位指令占2个字。数据操作指令占2~4个字。
应用：扩展用。
适合安全标准：EN954-1类别4，ISO13849-1 PLe。
安全输入点数：1点。
使用专用设定工具直观地进行配配置Q3MEM-BAT三菱。
构成设定使用丰富的组件可轻松、快捷地设定硬件构成。
创建逻逻辑对于安全设备，通过使用自动生成的标签的FB可以方便地创建逻辑SRAM卡用电池。
逻辑的导入和导出。
可以只把对输入输出模块的连接设定和通过功能块创建的应用逻辑作为一个设定文件进行存储，
或者从已保存设定文件进行读取。